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电焊机用IGBT管 仙童FGH40N60SFD
品牌：FAIRCHILD/仙童型号：FGH40N60SFD类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：P-DIT/塑料双列直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：600V工作电流：40A晟鑫微近年来花费大笔资金，用于提升公司产品的生产技术，目的在于使公司的 仙童FGH40N60SFD能够与用户的需求更
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2019-05-14 |
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东芝TOSHIBA TLP701光耦，逆变器，光伏逆变器，适用
品牌：Toshiba/东芝型号：TOSHIBA TLP701类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：其他导电方式：其他适合频率：其他封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道
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2019-03-16 |
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韩国大卫DBC2F150N6S功率模块
品牌：其他型号：韩国大卫DBC2F150N6S功率模块加工定制：否“韩国大卫DBC2F150N6S功率模块”详细介绍晟鑫微近年来花费大笔资金，用于提升公司产品的生产技术，目的在于使公司的美格纳MPKB2SA75U120能够与用户的需求更好地结合。我司在2014-03-27成立，领导人在电子材料零部件结构件从事多年，有着非凡的眼光和丰富的市场经
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2019-03-10 |
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Maxim 存储器 达拉斯DS1225AD-150+
品牌：达拉斯型号：DS1225AD-150+类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道
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2019-03-03 |
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韩国大卫二极管模块 DWM2F60U120
品牌：韩国大卫型号：DWM2F60U120类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：1200V工作电流：60A“韩国大卫DWM2F60U120”详细介绍韩国大卫产品概述：韩国大卫公司专业致力于大功率模块的研发与生产。产品特性：IGBT：600V/50
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2019-03-03 |
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三菱MITSUBISHI模块PS21767
品牌：Mitsubishi/三菱型号：PS21767类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：P-DIT/塑料双列直插材质：GE-N-FET锗N沟道工作电压：600V工作电流：30A详细说明
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2019-01-21 |
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